当晶体管关断时，电流可流过编程线1和编程线2(图中WriteLine和WriteLine2)，在它们所产生的编程磁场的共同作用下，使自由层的磁场方向发生改变，从而完成编程的操作。
实现MRAM可靠存储的一个主要障碍是较高的位干扰率。对目标存储单元进行编程时，非目标单元中的自由层可能会被误编程。目前Everspin研究人员已经成功解决了此问题。写入线1和写入线2上的脉冲电流产生旋转磁场，只有它们共同作用的单元才会发生磁化极性的改变，从而不会干扰相同行或列的其它位单元。
要进一步隔离非目标单元，使其不受干扰，Everspin还使用镀层包裹内部铜线的三个侧面。此镀层将磁场强度引向并集中到目标单元。这使得可以使用低得多的电流进行编程，并隔离磁场周边的通常会遭到干扰的单元。
大批量生产Everspin MRAM设备的另一个难题是由于极薄的A10x隧道结。A10x结厚度上的微小变化都会导致位单元电阻的很大改变。Everspin也解决了这一问题，从而实现了在整个晶圆表面上以及整个批量上，都能产生一致的隧道结。
Everspin还通过增加两个附加层来改进固定磁性层。在固定层下面增加了一层钉(Ru)。在Ru层下面又增加了另一个称为牵制层(pinninglayer)的磁性层。固定层和牵制层的极性相反，将会引起很强的耦合，使固定层的极性保持锁定，因此不会在编程操作过程中引起误反转。
· 摘要：尽管RFID还处于演示和实验阶段，面临着诸多挑战，如标签价和标准如何统一、顾客隐私如何保护等，但“向新应用的迈进是坚定不移的”。
“2020年之前你可以不用RFID，2020年之后就由不得你了！”，——9月15号在上海开幕的“2020年第22届中国国际工业博览会”上，射频识别技术版区的技术人员这样介绍RFID。
类似的话广州晨控智能技术有限公司小编在二维码领域也听过，二维码在早年也的确是以迅猛的速度代替条形码的应用，二维条码发明人之一的王寅君博士曾说，二维图像条码技术已经“越过了市场断层，进入主流市场”。
如今，国内的二维码自动识别应用再一次处于风口浪尖，新一代技术RFID所产生的强烈冲击力和诱惑力，已经把国内用户抛到了十字路口：该向左走还是向右走？
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